SIHG73N60E-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
2 147 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 73 А, 650 В, 0.032 Ом, 10 В, 2 В.
The SIHG73N60E-GE3 is a 650V N-channel MOSFET with super junction technology to minimize on-resistance and withstand high energy pulse. This E series MOSFET features low input capacitance, reduced switching and conduction losses and simple gate drive circuitry. It is designed for soft switching topologies. Suitable for server and telecom power supply applications.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | E Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 73А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 520Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |