FDS6930B
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
35 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В Новинка.
The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- -55 to 150°C Junction and storage temperature range
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Вес | 0.19г |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.031Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |