FDS6875
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -6 А, -20 В, 0.024 Ом, -4.5 В, -800 мВ Новинка.
The FDS6875 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics like load switching, battery charging and protection circuits applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±8V Gate to source voltage
- -6A Continuous drain current
- -20A Pulsed drain current
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 1.13г |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -6А |
| Полярность Транзистора | Двойной P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |