DrMOS силовой каскад, МОП-транзистор с диодом Шоттки, питание 4.5В-24В, 40А, POWERPAK-40.
The SIC772CD-T1-GE3 is an integrated Power Stage Solution optimized for synchronous buck applications to offer high current, high efficiency and high power density performance. The internal power MOSFETs utilizes Vishay's state-of-the-art TrenchFET Gen IV technology that delivers industry bench-mark performance to significantly reduce switching and conduction losses. The SiC772 incorporates an advanced MOSFET gate driver IC that features high current driving capability, adaptive dead-time control and integrated bootstrap Schottky diode, a thermal warning (THWn) alerts the system of excessive junction temperature. This driver is also compatible with wide range of PWM controller with the support of tri-state PWM, 5V PWM logic and skip mode (SMOD) for improve light load efficiency.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Задержка Выхода | 20нс |
| Задержка по Входу | 10нс |
| Количество Выводов | 40вывод(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 24В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 4.5В |
| Пиковый Выходной Ток | - |
| Стиль Корпуса Привода | PowerPAK |
| Упаковка | Разрезная Лента |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |