NTS2101PT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
18 ₽
МОП-транзистор, P Канал, 1.4 А, -8 В, 0.1 Ом, -4.5 В, -700 мВ.
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 1г |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -8В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.4А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -700мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 290мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |