![SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3](https://active-tel.ru/image/cache/catalog/products/cmp/997986-550x550.jpg)
SISS67DN-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
105 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -60 А, -30 В, 0.0046 Ом, -10 В, -2.5 В Новинка.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
Вес | 3г |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Gen III Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
Непрерывный Ток Стока | -60А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | -2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 65.8Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |