SI2302CDS-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
32 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.9 А, 20 В, 0.045 Ом, 8 В, 850 мВ.
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 8В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 850мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 710мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |