Меню
Корзина

SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
36 ₽
В корзину

МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 0.13 Ом, 10 В, 1 В.


The SI2308BDS-T1-E3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока2.3А
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность1.66Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.13Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-