МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 20 мОм, 10 В, 1 В.
The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 15.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |