SI2318CDS-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
33 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 40 В, 0.036 Ом, 10 В, 3 В.
The SI2318DS-T1-E3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 750mW.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 750мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.036Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |