Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.062 Ом, 4.5 В, 1.5 В.
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 830мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.062Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |