Полупроводники - Дискретные

Тиристор, 30 В, 350 мкА, 0.32 А, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)...

Тиристор, 60 В, 350 мкА, 0.32 А, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)...

Тиристор, 100 В, 350 мкА, 0.32 А, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)...

Тиристор, 200 В, 350 мкА, 0.32 А, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)...

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 50 В, 40 МГц, 625 мВт, -50 мА, 40 hFE...

Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 40 МГц, 1.5 Вт, -50 мА, 250 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 50 МГц, 625 мВт, 50 мА, 50 hFE...

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, TO-92...

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 30 В, -5 мА, -25 мА, 4 В, TO-206AA, JFET.The 2N5116-E3 is a -45V P-channel JFET designed to provide low on-resistance, good off-isolation and fast switching. This JFET is optimized for use in complementary switching applications with the 2N4856A series. It is s..

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 МГц, 40 Вт, 4 А, 10 hFE...