SI4435DDY-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
55 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -8.1 А, -30 В, 19.5 мОм, -10 В, -3 В.
The SI4435DDY-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
| Непрерывный Ток Стока | -8.1А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -3В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0195Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |