SI7113DN-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
199 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -13.2 А, -100 В, 0.119 Ом, -4.5 В, -1 В.
The SI7113DN-T1-GE3 is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -100В |
| Непрерывный Ток Стока | -13.2А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1В |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.119Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |