МСню
ΠšΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Π°

SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3
SI7942DP-T1-E3
  • НаличиС: Под Π·Π°ΠΊΠ°Π· 3-4 Π½Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈ
347 β‚½
Π’ ΠΊΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Ρƒ

MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3.8A, 150DEG C.


Π₯арактСристики
SVHC (Особо ΠžΠΏΠ°ΡΠ½Ρ‹Π΅ ВСщСства)To Be Advised
ВСс0.22Π³
ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²8Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²)
Максимальная Рабочая Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°150Β°C
НапряТСниС Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ Rds(on)10Π’
НапряТСниС Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°-стока Vds100Π’
НСпрСрывный Π’ΠΎΠΊ Π‘Ρ‚ΠΎΠΊΠ°3.8А
ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ВранзистораDual N Channel
ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ НапряТСниС Vgs4Π’
РассСиваСмая ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ1.4Π’Ρ‚
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Бостоянии Rds(on)0.041Ом
Π‘Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ° ВранзистораPowerPAK SO