SIRA20DP-T1-RE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
159 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 25 В, 480 мкОм, 10 В, 2.1 В.
The SiRA20DP's low on-resistance minimizes conduction power losses to improve system efficiency and enable higher power density, which is ideal for OR-ring functions in redundant power architectures.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Вес | 0.27г |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 480мкОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |