STD2HNK60Z-1
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
123 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.4 Ом, 10 В, 3.75 В.
The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.4Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |