MMBTH10LT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
7 ₽
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 650 МГц, 225 мВт, 4 мА, 60 hFE.
The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 4мА |
| DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | MMBTxxxx Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 25В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 650МГц |