Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJB44H11G
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 50 Вт, 10 А, 40 hFE.The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJB45H11G
Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 2 Вт, -10 А, 40 hFE...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJB5742T4G
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 2 Вт, 8 А, 200 hFE...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJD112G
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 25 МГц, 1.75 Вт, 2 А, 12000 hFE...
62 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Артикул: MJD112T4
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 1000 hFE...
43 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJD117G
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 25 МГц, 1.75 Вт, 2 А, 12 hFE...
73 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Артикул: MJD117T4
Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 20 Вт, -2 А, 200 hFE...
46 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJD122G
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1.75 Вт, 8 А, 2500 hFE.The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-T..
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Артикул: MJD122T4
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 20 Вт, 5 А, 1000 hFE...
72 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: MJD122T4G
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE...
58 ₽