NGTG15N60S1EG
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов).
The NGTG15N60S1EG is a 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) well suited for motor drive control and other hard switching applications. The IGBT features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction and provides superior performance in demanding switching applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 30А |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 117Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |