
МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 60 В, 200 мОм, 5 В, 2 В.
The IRLD014PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 1.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 1.3Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |