МОП-транзистор, N Канал, 1 А, 100 В, 540 мОм, 5 В, 2 В.
The IRLD110PBF is a 100V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 1А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |