SI2308BDS-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
48 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 0.13 Ом, 10 В, 3 В.
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.09Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |