Меню
Корзина

SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
29 ₽
В корзину

МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 26500 мкОм, 4.5 В, 450 мВ.


The SI2312CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch for portable applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Непрерывный Ток Стока
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs450мВ
Рассеиваемая Мощность1.25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0265Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-