SI2319CDS-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
55 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В.
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -40В |
| Непрерывный Ток Стока | -4.4А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.064Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |