Меню
Корзина

NVD5117PLT4G

NVD5117PLT4G
NVD5117PLT4G
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
В корзину

МОП-транзистор, P Канал, -61 А, -60 В, 0.016 Ом, -4.5 В, -1.5 В.


The NVD5117PLT4G is a -60V Single P-channel Power MOSFET features low RDS (on) to minimize conduction losses and high current capability.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Линия Продукции-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Напряжение Измерения Rds(on)-4.5В
Напряжение Истока-стока Vds-60В
Непрерывный Ток Стока-61А
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs-1.5В
Рассеиваемая Мощность118Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.016Ом
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный