Меню
Корзина

SCT30N120

SCT30N120

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 20 В, 2.6 В.


The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Линия Продукции-
Максимальная Рабочая Температура200°C
Напряжение Измерения Rds(on)20В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Непрерывный Ток Стока40А
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.6В
Рассеиваемая Мощность270Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.08Ом
Стиль Корпуса ТранзистораHiP247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный