
МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -40 В, 0.065 Ом, -10 В, -3 В.
The SI2319DS-T1-E3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
Напряжение Истока-стока Vds | -40В |
Непрерывный Ток Стока | -3А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | -3В |
Рассеиваемая Мощность | 750мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |