NTJD4105CT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
41 ₽
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 630 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 920 мВ.
The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 630мА |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 920мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 270мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.29Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |