Меню
Корзина

Транзисторы

МОП-транзистор, P Канал, -6 А, -250 В, 0.48 Ом, -10 В, -5 В...
147 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.8 А, 60 В, 0.088 Ом, 10 В, 2.5 В Новинка.The FQT13N06LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has ..
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -670 мА, -200 В, 2.06 Ом, -10 В, -5 В...
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А, 35 В, 0.03 Ом, 10 В...
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 700 мА, 450 В, 9.3 Ом, 10 В, 4.5 В...
86 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N и P-канальный, 2 А, 100 В, 0.165 Ом, 10 В...
0 ₽
Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 75 Вт, 24 А, 6.5 hFE.The HD1750FX is a 800V High Voltage NPN Power Transistor for high definition and new super-slim CRT displays. It is manufactured using diffused collector in planar technology adopting Enhance High Voltage Structure (EHVS1) developed to fit high..
727 ₽
Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 380 мВт, 200 мА, 200 hFE, SC-74...
12 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 60 В, 0.031 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 500 мА, 130 Ом, 0.012 соотношение...
22 ₽
Brand: VISHAY
МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В.The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness...
75 ₽
Brand: VISHAY
МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В...
86 ₽
Показано с 1165 по 1176 из 6018 (всего 502 страниц)